1 상세 설명
정의
산부식(Acid Etching)은 37% 인산(phosphoric acid)을 이용해 법랑질과 상아질 표면을 부분적으로 탈회시켜 미세한 요철을 형성함으로써 레진 접착제의 침투와 미세기계적 결합(micromechanical bonding)을 유도하는 술식입니다. 1955년 Buonocore에 의해 처음 소개되었습니다.
목적
- 법랑질 프리즘 사이에 미세 요철 형성
- 상아질 스미어층(smear layer) 제거 및 상아세관 개방
- 콜라겐 네트워크 노출로 접착제 침투 유도
부식 방법
- Total-etch — 법랑질·상아질 모두 인산 부식
- Selective-etch — 법랑질만 부식, 상아질은 자가부식
- Self-etch — 산성 프라이머로 동시 처리
임상 적용
| 부위 | 부식 시간 |
|---|---|
| 법랑질 | 15~30초 |
| 상아질 | 10~15초 |
| 유치 법랑질 | 60초 |
주의사항
과도한 부식은 상아세관 붕괴·과민증을 유발할 수 있으며, 부식 후 완전한 수세와 적절한 습윤(wet bonding) 상태가 하이브리드층 형성에 중요합니다.